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分析了分接器的电路原理及系统结构,通过比较,给出了最优的实现方案.使用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计出了速率为10 Gbit/s的分接器.简要介绍了单元电路的电路结构,给出了仿真结果和版图.芯片的电源供电电压为1.8 V,功耗为400mW.
0．18μm CMOS 10 Gbit／s分接器设计
【摘 要】
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分析了分接器的电路原理及系统结构,通过比较,给出了最优的实现方案.使用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计出了速率为10 Gbit/s的分接器.简要介绍了单元电路的电路结构,给出了仿真
【机 构】
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东南大学射频与光电集成电路研究所
【出 处】
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电子工程师
【发表日期】
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2004年3期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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