【摘 要】
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采用阳极氧化法,一步制备出了三维分布的硫化铜纳米片/带结构薄膜.实验发现,通过改变阳极氧化电流,可调控硫化铜纳米片/带结构的形貌演化,使之形成有利于场发射的三维合理分
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11474231,11464041,11364036,11264034).
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采用阳极氧化法,一步制备出了三维分布的硫化铜纳米片/带结构薄膜.实验发现,通过改变阳极氧化电流,可调控硫化铜纳米片/带结构的形貌演化,使之形成有利于场发射的三维合理分布.这既能生成更多的有效场发射位点,增强局域场,又可适当降低场屏蔽效应,几则协同作用使得硫化铜三维纳米片/带结构薄膜的场发射特性显著增强.开启电场可由8.2V·μm-1降低至1.9V·μm-1,阈值场由13.5V·μm-1降低至5.0V·μm-1,场增强因子最高可达6958.该硫化铜三维纳米片/带结构薄
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