【摘 要】
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提出了采用芯片表面上方形载荷导线框产生的静电场实现极性冷分子芯片表面囚禁的新方案,计算了方形载荷导线框周围的电场分布,分析了囚禁中心位置和导线框几何参数之间的依赖
【机 构】
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华东师范大学物理系精密光谱科学与技术国家重点实验室,巢湖学院物理系
【基金项目】
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国家自然科学基金（10174050,10374029,10674047）、国家自然科学基金重点项目（10434060）、上海市基础研究重点基金（07JC14017）、安徽省高校优秀青年人才基金（2010SQRL130）和巢湖学院自然科学基金（XLY-200905）资助课题.
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提出了采用芯片表面上方形载荷导线框产生的静电场实现极性冷分子芯片表面囚禁的新方案,计算了方形载荷导线框周围的电场分布,分析了囚禁中心位置和导线框几何参数之间的依赖关系,并研究了过囚禁中心在x和z方向的电场强度和其对应的CO分子的Stark囚禁势与几何参数之间的关系。研究表明,对于CO分子,该方案的有效势阱深度可达130 mK,这足以囚禁温度约为50 mK处于弱场搜寻态的极性冷分子。显然,这样的静电表面势阱在分子光学和分子芯片、量子光学、量子计算和量子信息处理等领域中都有重要的应用。
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