【摘 要】
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为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院大学,云南师范大学能源与环境科学学院,新疆大学物理科学与技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(61534008),中国科学院新疆理化技术研究所所长基金(Y55B171101),中科院西部之光(2017-XBQNXZ-B-004),电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(ZHD201705)资助
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为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨论。结果表明,随着电子注量的增加,GaAsN/GaAs量子阱光学性能急剧降低,注量为1×1015 e/cm2和1×1016 e/cm2的电子束辐照后,GaAsN/GaAs量子阱PL强度分别衰减
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