论文部分内容阅读
对卤化法制备高纯钛过程中杂质Si的行为进行了热力学分析。在实验控制的条件下,杂质Si在卤化源区可以生成SiI2和SiI4,以SiI4的形式在沉积区分解,从而进入高纯钛中。通过分析得出了抑制SiI4生成的温度控制范围。实验发现,在控制卤化源区温度773.15-973.15 K,沉积区温度1373.15-1473.15 K的条件下,可以较好地抑制Si的污染。