【摘 要】
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采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统
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采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.
A high-precision lithography plate, PECVD material growth, reactive ion etching and end-face 8 ° angle polishing technology were used to design and fabricate a 1 × 32 silicon-based array waveguide grating.The AWG chip was fabricated with adjacent channels Of the channel crosstalk is less than -28dB, non-adjacent channel introduced crosstalk is less than -35dB. Channel insertion loss in the fiber coupling package further improved, the average loss of about 4.9dB, non-uniformity of about 1.72dB.
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