【摘 要】
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采用一步溅射沉积工艺制备CIGs薄膜，并对薄膜进行退火处理。对退火前后的样品进行xRD、EDS、拉曼光谱测试分析。得出退火后的样品结晶度更好晶粒更大，In和Se均有不同程度的流失
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采用一步溅射沉积工艺制备CIGs薄膜，并对薄膜进行退火处理。对退火前后的样品进行xRD、EDS、拉曼光谱测试分析。得出退火后的样品结晶度更好晶粒更大，In和Se均有不同程度的流失。最终所测得的Cu／In＋Ga、Ga／In＋Ga的成分比满足高效太阳电池的要求，拉曼光谱所测得的样品表面有退火中形成的CIS存在。
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