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利用解析法计算了高能重离子的径迹结构，通过Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法研究了径迹结构对微电子芯片单粒子翻转的影响。结果表明，考虑了径迹结构的影响后，当离子能量较高时，具有小尺寸灵敏单元、低翻转阈值的芯片的翻转截面较传统的ＬＥＴ描述结果小许多；当离子更重量，这种差别对灵敏单元尺寸较大、翻转阈值值较高的芯片也变得较明显。即离子径迹结构的影响是通过其有效地沉积到灵敏单元中的能量与翻转阈值相比较而表现出来的