【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了多孔SiO2薄膜,系统地研究了不同浓度磷酸处理对多孔SiO2 薄膜的质子导电特性、双电层电容和以此多孔 SiO2 薄膜为栅介质的铟锌氧（I
【机 构】
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所,中国科学技术大学纳米科学技术学院
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采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了多孔SiO2薄膜,系统地研究了不同浓度磷酸处理对多孔SiO2 薄膜的质子导电特性、双电层电容和以此多孔 SiO2 薄膜为栅介质的铟锌氧（IZO）双电层薄膜晶体管性能的影响。结果表明：多孔SiO2薄膜的质子电导率和双电层电容随磷酸浓度升高而增大,60%浓度磷酸处理后多孔SiO2薄膜质子电导率和双电层电容分别达到1.51×10-4 S/cm和6.33μF/cm2。随磷酸浓度升高,双电层薄膜晶体管的工作电压降低,并且,电流开关比也变大。其中60%浓度磷
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