【摘 要】
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以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数（低k）材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光（CMP）,考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数
【基金项目】
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国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目（2009ZX02308）
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以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数（低k）材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光（CMP）,考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液：一种是传统的铜抛光液;另一种为新型的阻挡层抛光液。通过扫描电镜（SEM）和介电常数测试结果显示,2种抛光液对低k材料,不论是在结构还是电特性方面的影响都不大。经铜抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.08;经阻挡层抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.28。实践证明,这两种纳米二氧化硅抛
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