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为进一步提高单根电纺丝纳米纤维的定位沉积和形貌控制水平，基于近场静电纺丝技术，研究了单根直写纳米纤维在无图案硅基底的沉积行为；仿真分析了图案化硅基底上方的空间电场分布；采用图案化硅基底作为收集板，实验考察了微图案形状、收集运动速度等因素对单根纳米纤维定位沉积的影响规律。实验结果显示，电纺直写技术具有良好的定位精度，可将直径为100～800nm的纳米纤维精确定位于直径仅为1．6um的圆形微图案阵列上表面；收集板运动速度较小时，受电场力影响纳米纤维沉积轨迹将朝微图案偏移7um；收集板运动速度进一步减小时，纳米