论文部分内容阅读
为获得更高性能晶体管。传统的体硅衬底材料逐渐被绝缘体上硅（SOI）衬底取代。主要讨论SOI器件中栅氧化层完整性（GOI）的相关问题，并针对SOI器件设计专用的栅氧可靠性测试结构。由于体硅与SOI的差异导致GOI的性能也有较大差异，在同样工艺条件下SOI器件GOI特性表现更差。经大量实验数据验证，给出了较好的解决方案，通过多晶硅栅刻蚀后的修复工艺优化，在不影响器件特性前提下提升了GOI性能。