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文章通过对SOIMOSFET进行大量的模拟、计算,提出了一个新的SOIMOSF盯模型,它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应,该模型同时适用于数字电路和模拟电路的设计,模型计算结果与实际测试结果较吻合.
适合ULSI的深亚微米SOIMOSFET研究
【摘 要】
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文章通过对SOIMOSFET进行大量的模拟、计算,提出了一个新的SOIMOSF盯模型,它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应,该模型同时适用于数字电路和模拟电路的设计,模型
【机 构】
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浙江工业大学,骊山微电子公司
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2001年4期
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