【摘 要】
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研制了面向X波段应用的InGaP/GaAs HBT混合集成功率合成放大器模块.电路采用一种新颖的具有片上RC稳定网络的In-GaP/GaAs HBT功率管作为功率合成单元以提高电路的稳定性,并采
【机 构】
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山东大学信息科学与工程学院,中国科学院微电子研究所,
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研制了面向X波段应用的InGaP/GaAs HBT混合集成功率合成放大器模块.电路采用一种新颖的具有片上RC稳定网络的In-GaP/GaAs HBT功率管作为功率合成单元以提高电路的稳定性,并采用紧凑的微带线并联匹配网络进行功率分配和合成.在8.1GHz,偏置为Vcc=7V,Ic=230mA的AB类工作条件下,连续波最大输出功率为28.9dBm,功率合成效率达到80%.
An InGaP / GaAs HBT hybrid integrated power amplifier module is developed for X-band applications.The circuit uses a novel In-GaP / GaAs HBT power transistor with an on-chip RC stable network as a power combiner to improve the circuit stability A compact microstrip line parallel matching network is used for power distribution and synthesis.The maximum output power of continuous wave is 28.9dBm and the power synthesis efficiency reaches 80 at 8.1GHz under the bias of Vcc = 7V and Ic = 230mA. %.
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