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利用扫描电子观察了气相外延ＧａＮ：Ｚｎ晶片的表面形貌、Ｚｎ浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其ＭＩＳ结构的电致发光微区光谱。研究表明，Ｚｎ杂质掺入ＧａＮ可以形成四种能量位置的发光中心；它们的形成与Ｚｎ浓度和晶体的微区结构有关；二者的不均匀决定了发光的不均匀性。
GaN：Zn发光的显微观察
【摘 要】
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利用扫描电子观察了气相外延ＧａＮ：Ｚｎ晶片的表面形貌、Ｚｎ浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其ＭＩＳ结构的电致发光微区光谱。研究表明，Ｚｎ杂质掺入ＧａＮ可以形成四种能量位置的发光中心；它们的形成与Ｚｎ浓
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院激发态物理开放研究实验室,沈阳工业大学
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1995年4期
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