利用可控In气氛下热处理工艺制备Cd0．9Zn0．1Te：In

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pt315311

【摘要】

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利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe：In。不同In压下（Cd，Zn分压保持在平衡分压）的热处理实验结果表明：热处理后样品的电阻率可从6．75×10^5Ω·cm提高到10^8～1

【作者】

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刘洪涛桑文斌李万万闵嘉华李刚

【机构】

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上海大学

【出处】

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稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2007年8期

【关键词】

：

CDZNTE 热处理电阻率扩散系数 CdZnTe thermal annealing resistivity diffusion coefficien

【基金项目】

：

Supported by National Natural Science Foundation of China （10575069） and the Key Subject Construction Project （MaterialScience） of Shanghai Science and Technology Committee （03DZ 11006）

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利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe：In。不同In压下（Cd，Zn分压保持在平衡分压）的热处理实验结果表明：热处理后样品的电阻率可从6．75×10^5Ω·cm提高到10^8～10^1010Ω·cm；并且随着In压的增加，导电类型逐渐由p型转变为n型。热处理后样品的电阻率变化特征可以由In的扩散和施主缺陷InCd、受主缺陷VCd之间的补偿作用来很好地解释。利用扩散理论建立了CdZnTe：In的电阻率物理模型。利用热处理后样品的电阻率数据，计算了在873，97

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