论文部分内容阅读
利用化学气相沉积法在Si／SiO_2衬底上生长出了InP纳米线，制备了基于InP纳米线的底栅场效应晶体管并研究了其电输运特性。对不同生长温度器件的阈值电压、亚阈值斜率、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和比较。结果表明，生长温度对InP纳米线的形貌影响较大。800℃生长温度的InP纳米线性能较好，该器件阈值电压约为－8．5V，亚阈值斜率为142．4mV／decade，跨导为258．6nS，开关比〉10^6，场效应迁移率高达177．8cm^2／（V·s），载流子浓度达2．1×10