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介质阻挡放电常压化学气相沉积技术及其在薄膜制备中的应用
介质阻挡放电常压化学气相沉积技术及其在薄膜制备中的应用
来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangjunfeng_2009
【摘 要】
:
介质阻挡放电(DBD)是一种可以在常压下工作的放电形式,以这种放电形式为离子源的介质阻挡化学气相沉积(DBD-CVD)技术可以以较高的反应物流量实现多种薄膜的沉积,因而有广阔的
【作 者】
:
徐世友
张溪文
韩高荣
【机 构】
:
浙江大学材料系
【出 处】
:
材料导报
【发表日期】
:
2003年9期
【关键词】
:
介质阻挡放电
DBD
化学气相沉积
薄膜制备
半导体
PECVD
DBD
DBD-C VD
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介质阻挡放电(DBD)是一种可以在常压下工作的放电形式,以这种放电形式为离子源的介质阻挡化学气相沉积(DBD-CVD)技术可以以较高的反应物流量实现多种薄膜的沉积,因而有广阔的应用前景.综述了DBD技术的发展历史及相关理论,着重介绍了DBD-CVD技术及其应用现状,并提出展望.
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