【摘 要】
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通过TG-DTA,IR,XRD和SEM等测试方法分析研究聚碳硅烷（PCS）的热分解过程及在真空高温条件下物相成分及晶形的变化过程。研究结果表明：聚碳硅烷质量损失主要发生在300-700℃之间,3
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划（“973”计划）项目（2011CB605801）,湖南省研究生科研创新项目（CX2012B042）
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通过TG-DTA,IR,XRD和SEM等测试方法分析研究聚碳硅烷（PCS）的热分解过程及在真空高温条件下物相成分及晶形的变化过程。研究结果表明：聚碳硅烷质量损失主要发生在300-700℃之间,300-450℃主要发生小分子聚合物以及裂解产生的分子碎片的挥发;450-650℃之间,Si—H和C—H键发生断裂,生成氢气、烷烃等气体;650-900℃,PCS发生有机无机转变,裂解产物开始具有无机特征;900-1200℃,裂解产物基本不再具有有机特征,PCS完全转化为无定型SiC;1 200℃以后,SiC结晶形成
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