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为揭示硅片自旋转磨削加工过程中材料的去除机理，采用显微拉曼光谱仪研究了硅片磨削表面的相变。结果表明：半精磨和精磨硅片表面存在α-Si相、Si-Ⅲ相、Si-Ⅳ相和SiⅫ相，这表明磨削过程中Si—Ⅰ相发生了高压金属相变（Si-Ⅱ相），Si-Ⅱ相容易以塑性方式去除。粗磨硅片表面没有明显的多晶硅，只有少量的非晶硅出现，材料以脆性断裂方式去除。从粗磨到精磨，材料去除方式由脆性断裂去除向塑性去除过渡。粗磨向半精磨过渡时，相变强度越大，材料的塑性去除程度越大；半精磨向精磨过渡时，相变强度越小，材料的塑性去除程度越大。