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本文用光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质，发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中一峰的能量随温度升高，先增大而后又减小。根据已有的报道和本文的实验结果，提出了一个有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的模型，模型中将有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ看作阱宽随机分布的Ⅱ型多量子阱结构，能带边之下存在带尾态，并用该模型对实验结果进行了较好的解释。