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具有内部输运垒（ITB）的反磁剪切（RS）等离子体位形是在托卡马克中获得高参数的最具前景的途径之一。这种位形不仅改善等离子体约束，而且可以改进象气球模和新经典撕裂模等这类宏观模的稳定性。然而，反磁剪切区域的高压强可以驱动电阻交换模不稳定性，从而破坏中心区的等离子体高参数。为了研究电阻交换模不稳定性的性质，并确定其在RS等离子体中发展的区域，我们利用在HL－2A中使用中性束注入建立的RS位形来分析电阻交换模不稳定性。