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测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe/ZnSe应变层多量子阱在不同温度下(18~300K)的光伏谱,研究Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱的光伏效应和带间激子跃迁.实验结果表明,Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱具有显著的量子限制效应,从18 K直至室温,都能观测到清晰的激子跃迁峰,说明Zn1-xCdxSe/ZnSe是制作室温下工作的蓝绿激光器等发光器件的合适材料.