论文部分内容阅读
采用两种方法对650m AlGaInP LED内量子效率进行测量分析。一是考虑光子循环利用的影响，建立取光效率模型，使用光线追迹法模拟计算取光效率，进而反推出内量子效率。另一方法是变温L-I-V测量分析，在降温过程测量外量子效率随温度的变化，测量出一定温度范围内外量子效率出现最大值且稳定，并根据LED内部的复合机制，从而确定内量子效率值。最后分析两种测量方法，并给出了影响测量的因素。