【摘 要】
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硒化锌在室温下具有2.67eV的直接带隙,是一种优良的高效电致发光材料。但是由于自补偿效应,难以制成有效的p—n结发光器件。近年来,许多人采用金属——半导体(M—S)结构研制Z
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硒化锌在室温下具有2.67eV的直接带隙,是一种优良的高效电致发光材料。但是由于自补偿效应,难以制成有效的p—n结发光器件。近年来,许多人采用金属——半导体(M—S)结构研制ZnSe发光二极管。Allen等人报导了掺Mn和Al的ZnSe肖特基二极管在反向偏压和正向偏压下的电致发光,描述了引起发光的物理过程并给出一简单理论。R.S.Park等报导了在只掺Al的ZnSe中的黄色电致发光。M.E.Ozsan和J.Woods用汽相升华法生长硒化锌晶体,在生长的同时掺入Mn,Mn含量最高达2000ppm,他们用这种
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