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本文较为详细地研究了退火程序、退火气氛和注入方式对ＳＩＭＯＸ材料质量的影响，结果表明，采用二重或三重注入并在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面和高质量的表面硅层。
退火方式和气氛对SIMOX材料质量的影响
【摘 要】
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本文较为详细地研究了退火程序、退火气氛和注入方式对ＳＩＭＯＸ材料质量的影响，结果表明，采用二重或三重注入并在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面和高质量的表面硅层。
【机 构】
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北京大学微电子学研究所,北京大学技术物理系,上海冶金研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1995年2期
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