半导体晶片将来可实现无污染制造

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作为极具发展前景的半导体材料,碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能、高化学稳定性、抗辐射以及与相近的晶格常数和热膨胀系数等突出的特性与优势,这些优异性能决定了不仅是制作高亮度发光二极管的理想衬底材料,而且是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料之一,是当前全球半导体产业的前沿和制高点.本文分析了半导体晶片将来可实现无污染制造.
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