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金刚石薄膜膜基结合强度的测量与评价是其制备与应用的关键.本文根据内涨作用下薄膜发生鼓泡变形的原理,开发了一种新的适用于金刚石薄膜膜基结合强度定量检测的测试系统,并采用光刻法和湿式各向异性刻蚀技术制备得到金刚石薄膜自支撑窗口试样.采用OFV-3000光纤激光振动仪测量薄膜鼓泡时的垂直位移,测量精度可以达到0.3164μm.通过实验实现了对硅基底金刚石薄膜结合强度的定量检测,实验得到的薄膜结合强度为4.28726J/m2.这种鼓泡测量法不仅适用于硅平面基底电子元器件的膜基界面结合强度的测量,而且还可以推广应用