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用密度泛函理论（DFT）研究了Cu（001）表面CO吸附单层的表面性质.总能计算结果表明,顶位结构总能最低,相应位置的CO分子吸附能最大.谷位吸附结构的衬底原子层间距相对于清洁表面的膨胀量约为10%,从而导致了谷位吸附的不稳定性.在顶位、桥位和谷位三个吸附结构中,C和Cu原子之间的距离dC-Cu分别为0.1868、0.1975和0.2231nm,对应的CO分子键长为0.1154、0.1165和0.1175nm.计算了CO分子的态密度（DOS）.结果表明,衬底与分子的作用主要是分子和金属轨道的杂化.在吸附过