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InP 是继 Si 和 GaAs 之后的新一代电子功能材料，利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点，但对多孔 InP 的气敏特性研究甚少。本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔 InP，并观察其对氨气的伏安特性响应，从而分析该材料的气敏特性。
纳米多孔 InP 对氨气的气敏特性研究
【摘 要】
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InP 是继 Si 和 GaAs 之后的新一代电子功能材料，利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点，但对多孔 InP 的气敏特性研究甚少。本文拟通过电化学
【机 构】
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闽南理工学院基础部
【出 处】
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吉林师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2014年4期
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