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红外MOS电阻阵列是红外景像生成器中的关键元件，由于微加工工艺过程中存在的不定性导致电阻阵中每个像元的弘丁曲线之间存在微小的差异，这种像元之间的差异表现为“固定图像”噪声（也就是非均匀性）。非均匀性极大地影响了红外景象生成器的图像生成质量，为了真实的展现出实物的红外图像，在实时景像生成之前，必须对电阻阵进行非均匀性校正，其中对从电阻阵上像元能量的采集分析是最为关键的一个环节。对在测量MOS电阻阵时可能出现的干扰因素进行了深入的探讨与研究，并提出对应的像元能量分析方法。试验表明，该方法较好的解决了数据采集中