【摘 要】
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使用密度泛函理论（DFT）的杂化密度泛函B3LYP方法在6-31G^＊基组水平上对Si3Xn（X=C,O,N;n=1,2）团簇各种可能的构型进行几何结构优化,预测了各团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的电子
【基金项目】
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四川省教育厅自然科学重点项目（07ZA093）
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使用密度泛函理论（DFT）的杂化密度泛函B3LYP方法在6-31G^＊基组水平上对Si3Xn（X=C,O,N;n=1,2）团簇各种可能的构型进行几何结构优化,预测了各团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的电子结构、振动特性、成键特性和电荷特性等进行了理论研究.结果表明团簇的几何结构都是平面结构,通常Si3X2出现是Si-X键,较少出现X-X键;而Si3X中出现Si-X键和Si-Si键共存,Si3Xn（X=C,O,N;n=1,2）团簇的电荷布局分布表明这种电荷转移的作用使得团簇中所有X原子呈负电性,Si原子显正
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