【摘 要】
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研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响.在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的 ITO 薄膜,可见光透过率
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林大学电子工程系
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研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响.在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的 ITO 薄膜,可见光透过率高于85%,在厚度为100nm时其方块电阻在150～200Ω/□之间, 并且ITO薄膜的制备工艺完全与AMLCD中TFT器件的制作工艺兼容.
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