ECR Plasma CVD淀积介质膜的工艺模拟

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以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasma CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率n与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(S9H4)时所预测的成膜折射率跟实验值符合得很好,该数学模型为ECR Plasma CVD淀积全介质光学膜的工艺模
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