磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mingyinzhu

【摘要】

：

采用多光束应力实时测量装置监控并分析了磁控溅射Si和SiNx薄膜的总力及应力演化过程.在两种膜层中均观察到了应力释放及恢复现象.Si膜中应力是可逆的,而SiNx膜中应力是部分

【作者】

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李静平方明贺洪波邵建达李朝阳

【机构】

：

中国科学院大学,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国工程物理研究院上海激光等离子体所

【出处】

：

强激光与粒子束

【发表日期】

：

2013年11期

【关键词】

：

应力释放应力恢复物理吸附化学吸附 stress relaxaVion sress recovery physical adsorption chem

【基金项目】

：

国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金项目（10976030）

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采用多光束应力实时测量装置监控并分析了磁控溅射Si和SiNx薄膜的总力及应力演化过程.在两种膜层中均观察到了应力释放及恢复现象.Si膜中应力是可逆的,而SiNx膜中应力是部分可逆的.物理吸附和解吸附分别是应力释放和恢复的主要原因.不可逆的应力分量来源于化学吸附,基于吸附机制建立了一个应力释放模型.

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