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该文研究了在等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）中介质材料（高聚物、半导体等）为被注入对象时，其周围离子体鞘的扩展厚度和电势特征。在常规应用中，薄介质材料的厚度和相对介电常数对离子体鞘的厚度和离子集群势能分布及大小影响不大。因此在现有的等离子体处理、沉积、聚合、刻蚀等设备中都能方便地引入ＰＩＩＩ方式。