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利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成，结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用，形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化层，对钝化表面退火，Ｐ－Ｓ键逐渐消失，而仅仅留下了ＧａＳ键。
GaP（100）表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究
【摘 要】
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利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成，结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用，形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化层，对钝化表面退火，Ｐ－Ｓ键逐渐消失，而仅仅留下了ＧａＳ键。
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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