【摘 要】
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为确保半导体桥点火器芯片引线键合质量,以引线键合工艺技术研究为出发点,分析了影响芯片引线键合质量的关键因素。通过正交试验设计、破坏性拉力测试以及显微镜目测相结合的检测方法,研究了超声功率、键合压力与超声时间对半导体桥点火器引线键合强度的影响。研究表明键合最优工艺参数为超声功率0.35W、键合压力0.30N、超声时间30ms,经试验验证该工艺方法可靠。
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为确保半导体桥点火器芯片引线键合质量,以引线键合工艺技术研究为出发点,分析了影响芯片引线键合质量的关键因素。通过正交试验设计、破坏性拉力测试以及显微镜目测相结合的检测方法,研究了超声功率、键合压力与超声时间对半导体桥点火器引线键合强度的影响。研究表明键合最优工艺参数为超声功率0.35W、键合压力0.30N、超声时间30ms,经试验验证该工艺方法可靠。
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