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Quintessence Photonics公司的工程技术人员研制了一种由面发射激光器组成的二维单片式高功率激光二极管阵列。垂直腔面发射激光器为低功率器件，与普通的边发射激光二极管一样，激光腔在相同平面内。用湿法蚀刻工艺形成的单片集成全内反射镜以45°角非垂直耦合光。这种设计结构允许使用晶片级加工方法。由75个(三行，每行25个)激光二极管组成的典型阵列的输出功率在985nm波长处达到100W。