【摘 要】
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近年来,宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN /GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注,如高亮度的兰、绿色发光二极管,激光二极管等.由于存在相分离,在InxGa1-xN
【基金项目】
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河南省高校青年骨干教师资助项目，河南省教育厅自然科学基金
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近年来,宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN /GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注,如高亮度的兰、绿色发光二极管,激光二极管等.由于存在相分离,在InxGa1-xN /GaN异质结构InxGa1-xN激活层中会通过自组织形成纳米尺度的富In类量子点.这些富In类量子点可以看成是捕获电子和空穴的三维陷阱,从而加强了对电子和空穴的空间受限,使发光效率提高.另一方面,在纤锌矿结构的GaN和 InxGa1-xN中存在很强的自发极化,而且由于InxGa1-xN和GaN之间晶格失配度较高(11
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