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在n型4H—SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管（SBD），研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板（FP）结构有利于提高反向阻断电压，减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm，反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响，当厚度为0．5μm，即大约为外延层厚度的1／20时，可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm，反向阻断电压也随之增加。FLR和F