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双栅MOSFET的研究与发展

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：q80602655

【摘 要】

：

具有特殊结构的双栅ＭＯＳＦＥＴ是一种高速度、低功耗ＭＯＳＦＥＴ器件，符合未来集成电路发展的方向。文章介绍了多种双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构、优点，以及近年来国内外对双栅ＭＯＳＦＥＴ的研究成果。

【作 者】

：

沈寅华 李伟华 

【机 构】

：

东南大学微电子中心

【出 处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2000年5期

【关键词】

：

双栅结构 MOSFET SOI 集成电路 Doublegate structure  MOS FET  SOI 

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具有特殊结构的双栅ＭＯＳＦＥＴ是一种高速度、低功耗ＭＯＳＦＥＴ器件，符合未来集成电路发展的方向。文章介绍了多种双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构、优点，以及近年来国内外对双栅ＭＯＳＦＥＴ的研究成果。

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