【摘 要】
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定向自组装(DSA)是一种新型的光刻分辨率增强技术,为了探究制约DSA应用于大规模集成电路制造的因素,采用仿真手段评估了DSA工艺条件以及不同版图设计对DSA的影响.基于Cahn-Hi
【机 构】
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中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心,北京 100029;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029;中国科学院大学,北京 100049;广东省大湾区集成电路与
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定向自组装(DSA)是一种新型的光刻分辨率增强技术,为了探究制约DSA应用于大规模集成电路制造的因素,采用仿真手段评估了DSA工艺条件以及不同版图设计对DSA的影响.基于Cahn-Hilliard方程,模拟了不同“吸附”强度及退火时间下的线条图形光刻轮廓,分析了上述工艺条件对光刻结果的影响,发现增加退火时间、增强衬底的“吸附”强度可以有效减小电路制造缺陷.基于7 nm设计规则,改变引导图形周期,得到线条图形线宽粗糙度(LWR)以及通孔图形的光刻轮廓图,分析了引导图形周期和LWR及轮廓图质量的关系,得出当引导图形周期为2倍共聚物自然周期(2L0)时,可以得到更好的光刻图形质量,并通过2L0周期扰动实验进一步验证了该结论.
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