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氮基四元Ⅲ—Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件。可以通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小，得到在与衬底晶格匹配的情况下不同的材料禁带宽度，但是由于在给定组分下AlGaInN难以稳定生长。所以应用价力场模型（VFF）研究它的热动力稳定性，得出了AlGaInN不稳定的二相区间，并且定量讨论两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系。希望对生长高质量AlGaInN材料起到参考作用。