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日立有限公司(Hitach.Ltd．)与瑞萨科技公司共同研制开发了一种新的堆叠芯片技术，采用通孔电极技术互连方法来实现室温下芯片的黏合。新技术取消了所需的连接线，且比最先进的SiP(系统级封装)产品减少封装厚度达60％以上。这种方法为开发3D堆迭SiP产品提供了一种新的封装技术选择。
通孔电极技术在室温对芯片的黏合运用
【摘 要】
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日立有限公司(Hitach.Ltd．)与瑞萨科技公司共同研制开发了一种新的堆叠芯片技术，采用通孔电极技术互连方法来实现室温下芯片的黏合。新技术取消了所需的连接线，且比最先进的SiP(
【出 处】
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电子元器件应用
【发表日期】
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2005年7期
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