【摘 要】
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采用氧化铝模板法电沉积制备钴纳米线，并研究了沉积电位对钴纳米线的表面形貌和磁性能的影响。研究发现：电沉积钴纳米线的过程中，沉积电位与生长速率相互影响和制约。沉积电位太
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采用氧化铝模板法电沉积制备钴纳米线，并研究了沉积电位对钴纳米线的表面形貌和磁性能的影响。研究发现：电沉积钴纳米线的过程中，沉积电位与生长速率相互影响和制约。沉积电位太低，团聚作用明显，得不到钴纳米线；沉积电位增大，晶体表面能降低，有利于钴纳米线的生长，提高磁性能。然而，当沉积电位大于1．4V时，钴纳米线疏松短小，导致矫顽力下降。
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