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利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼薄膜(BN).通过分析电流密度-电场强度曲线,发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压影响很大,基底偏压为-140V时BN薄膜样品场发射特性要好于其它样品,阈值电场低于8V/μm. F-N曲线表明:电子是通过隧道效应克服BN薄膜表面势垒发射到真空的.