【摘 要】
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以Si粉和SiO2粉为硅源,活性炭为碳源,Fe2O3为添加剂,采用碳热还原法,在氢气保护下经1500℃保温3h烧制,研究了硅源种类对一维SiC纳米材料结构和发光性能的影响.结果表明,Si粉
【机 构】
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郑州轻工业大学材料与化学工程学院,郑州450051;河南工业大学材料科学与工程学院,郑州450001
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以Si粉和SiO2粉为硅源,活性炭为碳源,Fe2O3为添加剂,采用碳热还原法,在氢气保护下经1500℃保温3h烧制,研究了硅源种类对一维SiC纳米材料结构和发光性能的影响.结果表明,Si粉与活性炭的反应活性强于SiO2粉,易于制得发光性能较好的一维SiC纳米材料,其具有光滑的表面及无定形SiO2外壳包裹的核壳结构,并具有较宽的发射波长.因非晶态SiO2层的存在及一维SiC纳米材料内部结构缺陷的共同作用,其在467nm和435nm处的带隙较SiC体材料显示出较大的蓝移现象.
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