【摘 要】
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针对低成本、大尺寸的GaN HEMT技术,回顾了近年来Si基GaN射频器件在大尺寸材料外延生长、器件制备工艺与单片集成电路等方面的国内外研究进展,指出推进其发展的重要意义,并分
【基金项目】
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国家自然科学基金(61874101,61904162)
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针对低成本、大尺寸的GaN HEMT技术,回顾了近年来Si基GaN射频器件在大尺寸材料外延生长、器件制备工艺与单片集成电路等方面的国内外研究进展,指出推进其发展的重要意义,并分析了抑制射频损耗、无金欧姆接触及复合钝化等技术难点,阐明了具有研究前景的优化及发展方向。基于高阻Si衬底上AlGaN/GaN HEMT结构,通过调控C掺杂技术得到了较低的射频损耗,研制出V型栅结构的Si基GaN射频器件,10 GHz下的线性增益达12.3 dB,Pout为3.6 W/mm,P_(AE)约为45%。分析表明,随着材料与
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