【摘 要】
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结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高对该结
【机 构】
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上海复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室,荷兰代尔夫特理工大学电子仪器实验室,上海复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203,代尔夫特2628CD,荷兰,上海2
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结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高对该结构进行了理论分析并计算得出数学表达式.基于这种新的频率补偿结构,利用CMOS0.7μm工艺模型设计了样品芯片.测试结果表明:该运放可以驱动从100pF到100μF负载电容,直流增益为90dB,最小相位裕度为26°;该运放在100pF负载情况下单位增益带宽为1MHz,使用抑制电容仅为18pF.
In order to meet the requirements of accuracy and stability, a CMOS op amp suitable for a wide range of capacitive loads is presented. A suppression capacitor is added to the multipath nested Miller compensation structure to obtain the stability suitable for various capacitive loads. Based on this new frequency compensation structure, a CMOS0.7μm process model was used to design a sample chip.The test results show that the op amp can be driven from 100pF to 100μF load capacitance, DC gain of 90dB, the minimum phase margin of 26 °; The op amp at 100pF load unity gain bandwidth of 1MHz, the use of suppression capacitor is only 18pF.
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